ITO导电浆料纳米均质机  招商

　ITO导电浆料纳米均质机，ito纳米均质机,氧化铟锡纳米均质机,透明导电膜高速均质机是在定、转子狭窄的间隙中受到强烈的机械及液力剪切、离心挤压、液层摩擦、撞击撕裂和湍流等综合作用，形成悬浮液（固/液），

　　ito ITO 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡,ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指标:电阻率和透光率作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。因此，铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上，用作透明导电薄膜，同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。

　　在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能*，而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形，其中透光率达90%以上。ITO中其透光率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例来控制，通常SnO2:In2O3=1:9。

　　目前ITO膜层之电阻率一般在5*10E-4左右，*可达5*10E-5，已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以方块电阻来表征ITO的导电性能，其透过率则可达90%以上，ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例控制，增加氧化铟比例则可提高ITO之透过率，通常SnO2: In2O3=1:9，因为氧化锡之厚度超过200?时，通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。

　　对导电浆料的要求，第yi是分散均匀性，如果浆料分散不均，有严重的团聚现象，电池的电化学性能受到影响，如若导电剂分布不均匀，电极在充放电过程中，各处电导率不同会发生不同的电化学反应，负极处可能产生较复杂的  SEI膜，可逆容量减小，并伴有局部的过充过放现象或有可能会有锂金属析出，形成安全隐患;粘结剂分布不均，颗粒之间、颗粒与集流体之间粘结力出现过大过小的情况，过小部位电极内阻大，甚至会掉料，zui终影响整个电池容量的发挥。第二，浆料需要具有良好的沉降稳定性和流变特性，满足极片涂布工艺的要求，并得到厚度均一的涂层，要求电池极片众心的厚度要和边缘处的厚度尽量保持一致，这是导电浆料涂布工艺的难点。

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　　超高速均质机的高的转速和剪切率对于获得超细微悬浮液是zui重要的。根据一些行业特殊要求，依肯公司在ER2000系列的基础上又开发出ERS3000超高速均质机。其剪切速率可以超过100.00 rpm，转子的速度可以达到40m/s。在该速度范围内，由剪切力所造成的湍流结合专门研制的电机可以使粒径范围小到纳米级。剪切力更强粒经分布更窄。由于能量密度极高,无需其他辅助均质设备。

　　影响均质乳化均质结果的因素有以下几点

　　1 均质头的形式（批次式和连续式）（连续式比批次好）

　　2 均质头的剪切速率 （越大，效果越好）

　　3 均质头的齿形结构（分为初齿，中齿，细齿，超细齿，约细齿效果越好）

　　4 物料在均质墙体的停留时间，乳化均质时间（可以看作同等的电机，流量越小，效果越好）

　　5 循环次数（越多，效果越好，到设备的期限，就不能再好）

　　线速度的计算

　　剪切速率的定义是两表面之间液体层的相对速率。

　　– 剪切速率 (s-1) = v 速率 (m/s) 

　　g 定-转子 间距 (m)

　　由上可知，剪切速率取决于以下因素:

　　– 转子的线速率

　　– 在这种请况下两表面间的距离为转子-定子 间距。 

　　IKN 定-转子的间距范围为 0.2 ~ 0.4 mm

　　速率V= 3.14 X D（转子直径）X 转速 RPM / 60

　　超高速均质机是高效、快速、均匀地将一个相或多个相(液体、固体)进入到另一互不相溶的连续相(通常液体)的过程的设备的设备。当其中一种或者多种材料的细度达到微米数量级时，甚至纳米级时，体系可被认为均质。当外部能量输入时，两种物料重组成为均一相。高剪切均质机由于转子高速旋转所产生的高切线速度和高频机械效应带来的强劲动能，使物料在定、转子狭窄的间隙中受到强烈的机械及液力剪切、离心挤压、液层摩擦、撞击撕裂和湍流等综合作用，形成悬浮液（固/液），乳液（液体/液体）和泡沫（气体/液体）。高剪切均质机从而使不相溶的固相、液相、气相在相应熟工艺和适量添加剂的共同作用下，瞬间均匀精细的均质乳化，经过高频管线式高剪切均质均质乳化机的循环往复，最终得到稳定的高品质产品。

　超高速均质机设备等级:化工级、卫生I级、卫生II级、无菌级 

　　超高速均质机电机形式:普通马达、变频调速马达、防爆马达、变频防爆马达、气动马达

　　超高速均质机电源选择: 380V/50HZ、220V/60HZ、440V/50HZ

　　超高速均质机材质:SUS304 、SUS316L 、SUS316Ti

　　超高速均质机表面处理:抛光、耐磨处理 

　　超高速均质机进出口联结形式:法兰、螺口、夹箍 

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